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Ihr Warenkorb ist leerProduktbeschreibung des Herstellers
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Phase-Change Thermal Pad
Ein Phase-Change-GPU-Wärmeleitpad, füllt die Lücken zwischen der GPU und dem Kühlkörper effektiv aus
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PCB-Schutzbeschichtung
Die Beschichtung umhüllt die Platine und schützt sie vor Kurzschlüssen durch Feuchtigkeit und Staub
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Premium Power Delivery
Digitale Leistungsregelung, Hochstrom-Power-Stages und 15K-Kondensatoren steigern die Leistung
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GPU Tweak III
Optimiere und überwache mit GPU Tweak III die Hardware über eine intuitive Benutzeroberfläche
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Adobe Creative Cloud
Erhalte einen Monat Mitgliedschaft für Adobe Creative Cloud alle Apps und Adobe Substance 3D
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MaxContact Design
MaxContact ist ein ASUS-Fertigungsverfahren, das die Oberfläche des Heatspreaders um 5% vergrößert
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Reverse Rotation und 0dB Technologie
Die Lüfter schalten sich ab, wenn die GPU-Temperaturen unter 50°C liegen und starten oberhalb 55°C
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Schützende Backplate
Die Platine wird durch eine Backplate verstärkt, die für zusätzliche strukturelle Steifigkeit sorgt
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Belüftetes Exoskelett
Die Belüftungsöffnung in der Backplate und ein zusätzlicher Luftstrom verbessern die Wärmeableitung
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Auto-Extreme-Technologie
Die ASUS Auto-Extreme Technologie reduziert Umweltbelastungen und den Energieverbrauch
Vapor Chamber
Eine Vapor Chamber und ein Kühlkörper nehmen die Wärme der Grafikkarte auf und sorgen so für eine erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Szenarien.
Individualisierung
Aura Sync
Die mit Aura ARGB-Beleuchtungskomponenten an der Abdeckung und am rechten Rand der Karte bieten Möglichkeiten zur Anpassung von Farben und Effekten. Kombiniere diese mit einer Vielzahl von kompatiblen Systemteilen, um die Beleuchtung zu synchronisieren und einen einzigartigen Bau zu erstellen
GPU-First Intelligent Voltage Stabilizer
Perfektes Netzteil für die GeForce RTX 50 Serie
Kombiniere das ROG Thor III oder ROG Strix Platinum Series Netzteil und genieße eine zuverlässige Stromversorgung für deine Grafikkarte. GPU-First erhöht die Spannungsstabilität um bis zu 45 %. Außerdem steigert die Integration eines GaN-MOSFETs die Leistungseffizienz um bis zu 30 %.