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Ihr Warenkorb ist leer BOJACK IRF4905 MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, der
sein kannweit verbreitet in analogen und digitalen Schaltungen.
Grundlegende Parameter:
Der IRF4905 ist in einem TO-220AB-Paket
Erhältlich Einschaltwiderstand Rds (ein): 0,02 Ohm
Spannung Vgs am höchsten: ± 20 V
Anzahl der Stiche: 3
Betriebstemperatur: -55 ° C bis +175 ° C
Wärmewiderstandsverbindung zu Fall A: 1,3 ° C / W
Spannung Vds Typisch: 55 V
Aktuelle ID kontinuierlich: 74 A
Aktueller Idm-Impuls: 260 A
Aufputzgerät: Durch Lochmontage
Bleifreier Umweltschutz
Scholich
Bewertet in Deutschland am 19. Mai 2024
alles ok
Peter Schönherr
Bewertet in Deutschland am 14. März 2023
Gut verpackt ,gerne wieder .
michel seguin
Bewertet in Frankreich am 3. März 2022
Produit hors normeResistance interne Vds pour vgs 12v et 10A variable de 1 ohm à 0,5 ohmNon exploitable pour de forte commutationAchat poubelle , je demande le remboursement
Daniel Engel
Bewertet in Frankreich am 20. September 2022
Un IRF4905 devrait avoir un RDS(on)
Franco Vandini
Bewertet in Italien am 11. Februar 2021
ottima qualità dati certi
stefano
Bewertet in Italien am 14. April 2021
Fanno quello che dicono, li ho pilotati tramite arduino per creare uno stepdown converter, sono molto fragili e sensibili rispetto ai mosfet N provati in passato, si bruciano molto facilmente se non si sta attenti, ma se si usano a dovere scaldano pochissimo anche con grossi carichi
Detlev N.
Bewertet in Deutschland am 16. September 2020
Ich habe alle 10 Exemplare getestet. Gate und Drain kurzgeschlossen und 1 Ampere zwischen Source und Drain fließen lassen. Die Source-Gate-Spannung pendelte sich bei allen Exemplaren bei 3,5 Volt +/- 20 mV ein.Das reicht zum Parallelschalten.Die maximale Verlustleistung von 200 Watt ist natürlich illusorisch.Der Wärmewiderstand vom Silizium zum Gehäuse wird mit 0,75 °C/W angegeben.Der Wärmewiderstand vom Gehäuse zum Kühlkörper wird mit 0,5 °C/W angegeben.Selbst wenn man es schaffen würde, den Kühlkörper auf 25 °C zu halten, ergäbe sich bei 200 Watt eine Siliziumtemperatur von 275 °C.Das Teil ist bis 175 °C Silizium-Temperatur spezifiziert. Ab etwa 125 °C altert Silizium deutlich schneller.Ich mute den Transistoren nur 13 Volt und 5 Ampere zu - also 65 Watt. Bei einer Kühlkörpertemperatur von 40 °C beträgt die Siliziumtemperatur dann ca. 120 °C. Dies betrachte ich als den sicheren Maximalwert.
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